Sitemap

de snelle diode van de terugwinningsgelijkrichter

• van de de Terugwinningsgelijkrichter van 8A 600V Super Snelle de Diodeonderdompeling 2 Speld aan-220AC Lage Omgekeerde Lekkage
• AAN van de de Terugwinningsgelijkrichter van 220AB de Ultrasnelle Diode 10A 600V door Gat 3 Speld
• Van de de Diode Ultrasnelle Gelijkrichter van de hoogspannings de Snelle Terugwinning Dioden 10A ITO - 220AC
• SMD-Diode van de de Diode1a 1000V RS1M DO 214AC de Ultrasnelle Terugwinning van de Siliciumgelijkrichter

De Diode van de algemeen Doelgelijkrichter

• van de het Silicium1n4007 Gelijkrichter van 1A 1000V van het de Diode Algemene Doel Aspakkettype
• -41 van het de Diodesilicium van de algemeen Doelgelijkrichter de Diode 1N4002 -41 1Amp
• S3G de Diode van het de Diode3a SMB Pakket van de algemeen Doelgelijkrichter voor geleide Lichten
• De Oppervlakte van SMD 1N4007 zet Gelijkrichterdiode GS1M 1000V voor Gedrukte Kringsraad op

de schottky diode van de barrièregelijkrichter

• SS54 Stroom van de de Diode5a de Hoge Voorwaartse Schommeling van laag Voltageschottky
• De Diode van de de Barrièregelijkrichter van SMAF Schottky/de Lage Diode SS36 3A 60V van Lekkageschottky
• De oppervlakte zet Schottky-van van de Hoofd barrièregelijkrichter de Diode 2A SS210 -214AC Bestuurdersschottky op
• Hoge Huidige de Gelijkrichterdiode 60V van -27 8Amp voor Digitale Toepassing

Zenerdiode

• Van silicium Vlak 36 Volts Smd de Diodezener voor Oppervlakte Opgezet Ontwerp
• Pakket zode-323 van de tolerantie5% Vlakzener Diode SMD Geval Actieve Componenten
• Regelgever die Zener-Diode 1N5352B Voltage -15 gebruikt van 5 Wattszener Hoog Schommelingsvermogen
• 1SMA4728A de de Diodesma Oppervlakte van 1 Wattzener zet Pakkettype Hoge Betrouwbaarheid op

SMD-Transistor

• 3 DRONKAARD 523 van de speldsmd Transistor MMBT3904T Epitaxial Vlakmatrijzenbouw
• De Oppervlakte van de siliciumsmd Transistor PNP zet Transistor MMBT3906 dronkaard-23 op
• S9013npn Transistor SOT23 Bijkomend aan de Loodvrije Status van S9012 RoHS
• Opgezette Type van silicium het Materiële NPN Transistor SOT23 SMD Oppervlakte

de gelijkrichter van de siliciumbrug

• Van de het Siliciumbrug van DB107S 1A 1000V de Gelijkrichter Laag Omgekeerd Lekkage Gevormd Plastic Lichaam
• Gelijkrichter van de het Siliciumbrug van het borglaboratorium 800 Voltagedbs Pakket
• 1000 Volts van de de Gelijkrichtermb10f Hoog Voorwaarts Schommeling van de Siliciumbrug de Stroomvermogen
• De Oppervlakte van DB207S 2.0Amp zet Bruggelijkrichter Glas Gepassiveerde 1000V op

de diode van de hoge snelheidsomschakeling

• SMD-de Oppervlakte zet van het de Diodesilicium van de Hoogspanningsomschakeling Epitaxial Vlak op
• Van de de Omschakelingsdiode van BAS16WS SOD323 de Snelle Diode van de het Siliciumomschakeling Epitaxial Vlak
• Verzegelde van de de Omschakelingsdiode 1N4148 van de Glashoge snelheid het Signaaldiode -35

Diode van het het Voltageontstoringsapparaat van TVs de Voorbijgaande

• De Diode van de Hoogspanningstvs van 1.5KE300CA -27 trans de Diode 1500W van het Voltageontstoringsapparaat
• 600W van het het Voltageontstoringsapparaat van TVs de Voorbijgaande Diode P6KE15 -15 Aspakket
• SMBJ36CA SMB-de Diode van het het Voltageontstoringsapparaat van TVs Voorbijgaand Uitstekend het Vastklemmen Vermogen
• 1.5KE300CA -27 trans de Diode 1500W Volgzame RoHS van het Voltageontstoringsapparaat

Laag Voltagemosfet

• BSS138K n-de Machtsmosfet van het Kanaal0.35w 0.22A Silicium
• Laag Voltagemosfet Draagbaar Apparatengebruik dronkaard-23 p-Kanaal BC2301